尔必达存储器

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美光日本
Micron Memory Japan

1999-2012

2012至今
公司类型子公司
成立1999年12月20日
代表人物木下嘉隆(代表取缔役)、坂本幸雄
总部

 日本

东京都中央区八重洲2丁目2番1号
产业半导体产业
产品DRAM
母公司美光公司
网站Micron Technology, Inc.
尔必达制128MB RDRAM

尔必达(英语:Elpida Memory, Inc.)是一间日本内存公司,成立于1999年,由日立和NEC的内存部门合并而成,拥有30nm制程的广岛制造厂以及在台湾的合资企业瑞晶电子。

尔必达在2012年2月破产,同年5月8日,已申请破产保护的尔必达(Elpida)公布其第二轮竞标结果,将与美光(Micron)合并。

2013年7月31日,美国美光科技宣布,已经完成20亿美元收购日本尔必达公司的交易。

历史

  • 1999年12月20日,NEC日立内存公司成立。
  • 2000年5月,NEC日立内存改为尔必达内存公司。
  • 2003年3月,合并了三菱电机的内存制造部门
  • 2003年8月,尔必达内存公司接受金士顿科技约60亿日圆入股。
  • 2004年11月,在日本东京证券交易所上市挂牌交易。
  • 2006年5月,尔必达内存公司公布的财报显示尔必达年度销售收入达到2415亿日圆,全球雇员人数3196人。
  • 2010年4月3日,尔必达内存公司接受金士顿科技185亿日圆入股。
  • 2010年4月22日,尔必达内存公司全球首发采用低功耗40nm技术的4GB DDR3 SDRAM内存颗粒,该技术相比传统技术内存在功耗上降低达到30%,同时尔必达内存公司宣布将拓展Flash Nand快闪存储器(闪存)产品。
  • 2010年9月2日,尔必达内存公司宣布,与美国飞索半导体(Spansion)合作,研发成功全球首款电荷捕获型4GB SLC NAND快闪存储器(闪存),读取速度较传统浮动栅极型技术快闪存储器(闪存)快一倍,写入速度快15%。
  • 2011年2月25日,尔必达在台湾证券交易所挂牌发行台湾存托凭证(代码为916665.TW),为该交易所第一个日商公司TDR。
  • 2012年2月27日,尔必达向东京地方法院申请破产保护。日本共同通讯社报导,尔必达的负债达到4810亿日圆。
  • 2012年3月28日,尔必达在东京证券交易所摘牌。
  • 2012年3月28日,尔必达在台湾证券交易所挂牌发行的台湾存托凭证下市。
  • 2012年5月8日,尔必达公布其第二轮竞标结果,由美光科技(Micron)收购。
  • 2014年2月28日,尔必达改为美光内存日本(Micron Memory Japan)。
原文链接: http://www.baijia520.com/c520/34248.html